Extreme Ultra-violetinė ir jos programos

EUV reiškia "Extreme Ultra-Violet", kurio bangos ilgis yra 13,5 nm. Taip pat vadinamas minkštais rentgeno spinduliais. Numatoma, kad ultravioletinių spindulių ultravioletinių spindulių ultravioletinių spindulių šviesos poveikio technologija gali būti naudojama kaip naujos kartos poveikio technologija, kuri gali toliau mažinti puslaidininkius.

Ankstesnė puslaidininkių ekspozicijos technika buvo padidinti atspalvį poveikio metu, sutrumpinant šviesos bangos ilgį, naudojamą miniatiūrizacijos poreikiui patenkinti. Tačiau per pastaruosius 10 metų ekspozicijos bangos ilgis išliko nepakitęs 193 nm. Priežastis ta, kad pramonė įdiegė skysčio panirimo poveikio metodiką, kurioje vanduo yra užpildytas tarp objektyvo ir plokštelių, o dvigubo poveikio metodas, pvz., Kartotinis poveikis, vietoj sutrumpinto bangos ilgio, siekiant padidinti skiriamąją gebą.

Nepaprastai sutrumpinkite ekspozicijos bangos ilgį

EUV poveikis sutrumpina ekspozicijos bangos ilgį iki 13,5 nm, tokiu būdu padidinant skystį ekspozicijos metu. (Šis paveikslėlis pagamintas "Nikkei Electronics", remiantis informacija, pateikta Tarptautinės technologijos puslaidininkių gairėse (ITRS). Nuotrauka iš Asimah.)

Tačiau šios technologijos taip pat artėja prie ribos. Naujausio panardinimo poveikio technologija yra maždaug 38 nm, o 19 nm riba netgi naudojant antrinio modelio ekspozicijos techniką. Jei ir toliau padidinsite skiriamąją gebą, turite padidinti pozicijų skaičių daugiau nei 3 kartus, tai padidins išlaidas. Naudojant EUV poveikio technologiją, kurios bangos ilgis yra tik 13,5 nm, vienos ekspozicijos metu gali lengvai susidaryti apie 14 nm.

Tačiau EUV poveikio technologijos vystymasis tampa vis lėtesnis ir lėtesnis. Pagrindinė priežastis yra tai, kad šiuo metu ESV šviesos šaltinio išėjimo galia yra tik 10-20 W, o tai vis dar toli nuo 250 W, reikalingos masinei gamybai. Jei taip, tai turės didžiulę įtaką puslaidininkių miniatiūrizavimo tempai. Todėl ASML, kuri užsiima EUV poveikio priemonių gamyba, 2012 m. Spalį paskelbė, kad įsigys Cymer, didžiausią pasaulyje EUV šviesos šaltinių gamintoją, kad paspartintų plėtrą. "Asmar" tikslas - iki 2015 m. Pasiekti reikalingą ESV šviesos šaltinio galingumą 250 W.

Ypatinga ultravioletinė fotolitografija (EUV) gali būti laikoma viena iš perspektyviausių technologijų. Nors vis dar laukiama, kol pavyks įveikti daugybę technologijų.

Puslaidininkių pramonė taiko dvi grafinio poveikio technologijas ir numato laipsnišką perėjimą prie EUV technologijos. Todėl iki 2012 m. Pažangios technologijos bus naudojamos dvigubai ilgesnėje nei 22 nm penkių taškų grafikos ekspozicijos technologijoje. Tarp respondentų 60,4% vartotojų mano, kad dviejų sluoksnių poveikio metodai bus naudojami vartų sluoksnio litografijoje ir 51,1% laikomi naudojamais kontaktinio sluoksnio litografijoje. Tačiau iki 2014-2015 m. Dauguma respondentų manė, kad iki 16 nm eros 43% respondentų tikėjo, kad jie gali būti naudojami vartų sluoksniu gamyboje ir 47,7% naudojami kontaktinio sluoksnio litografijoje. Iki 2016-2018 m. Daugelis pramonės šakų mano, kad jis pateks 11 nm, kai 60,6% respondentų mano, kad jis gali būti taikomas fotolitografijos sluoksnio litografijai ir 63,9% iš jų naudojami kontaktinio sluoksnio litografijoje.